Doktorantūras skolā “1st International School On Modelling In Crystal Growth” Rumānijā piedalās arī SMI zin. asistents Maksims Surovovs
No 19. līdz 21. septembrim doktorantūras skolas “1st International School On Modelling In Crystal Growth” rīkotajos pasākumos un semināros Timišoarā, Rumānijā piedalījās arī LU Eksakto zinātņu un tehnoloģiju fakultātes (EZTF) Skaitliskās modelēšanas institūta zinātniskais asistents un doktorants Maksims Surovovs.
Lekciju kurss sevī ietvēra teorētiskās lekcijas par kristālu audzēšanas procesu un tā skaitlisko modelēšanu, kā arī praktiskās nodarbības ar komerciālu (CGSim) un atvērtā koda (Elmer, OpenFoam) programmatūru. Nodarbībās doktorantūras skolas dalībnieki iepazinās ar Čohraļska silīcija kristālu audzēšanas procesa modelēšanu un piedalījās procesa parametru optimizācijas pētījumā, kura mērķis bija samazināt termiskos spriegumus izaudzētajā kristālā.
Ar savu pieredzi dalās Maksims: “Man izdevās atrast optimālos parametrus, kas noved pie viszemākajām sprieguma vērtībām, par ko es saņēmu suvenīru no kompānijas STR (https://str-soft.com) pārstāvjiem, kas ir CGSim izstrādātāji.”
Doktorantūras skolas “1st International School On Modelling In Crystal Growth” dalība ne tikai sniedza Maksimam Surovovam padziļinātas zināšanas par kristālu audzēšanas procesu un tā modelēšanas iespējām, bet arī ļāva aktīvi pielietot iegūtās zināšanas praktiskos uzdevumos, veicinot zinātnisko izaugsmi un starptautisko sadarbību ar vadošajiem programmatūras izstrādātājiem šajā jomā. Šāda pieredze neapšaubāmi ir vērtīgs ieguldījums gan viņa turpmākajos pētījumos, gan arī Skaitliskās modelēšanas institūta darbībā.
Kristālu audzēšanas modelēšanas starptautiskās skolas (International School On Modelling In Crystal Growth) programmā ir iekļautas lekcijas par kristālu augšanas procesu makrosimulācijas teorētiskajiem, matemātiskajiem un praktiskajiem aspektiem. Skolas formāts ir veidots tā, lai veicinātu tīklošanos starp lektoriem un dalībniekiem, neformāli diskutējot kafijas pauzēs, maltītēs un saviesīgos pasākumos.
