LU EZTF SMI darbinieki prezentē savus pētījumus starptautiskajā kristālu audzēšanas konferencē IWCGT-9 Berlīnē
Latvijas Universitātes Eksakto zinātņu un tehnoloģiju fakultātes Skaitliskās modelēšanas institūta (LU EZTF SMI) zinātniskais personāls turpina nest Latvijas vārdu pasaulē, piedaloties nozīmīgos starptautiskos zinātniskos pasākumos. No 8. līdz 11. jūnijam trīs mūsu institūta pārstāvji devās uz Berlīni (Vācijā), lai piedalītos augsta līmeņa 9. Starptautiskajā kristālu audzēšanas tehnoloģiju darbnīcā (9th International Workshop on Crystal Growth Technology, IWCGT-9). Konferences laikā, stenda referātu sesijā, LU EZTF SMI pārstāvji klātesošos iepazīstināja ar saviem jaunākajiem pētījumiem.
Andrejs Sabanskis iepazīstināja ar plakātu “Simulations of dislocation dynamics during growth of halide and oxide crystals from melt”. Viņa pētījuma mērķis bija analizēt termiskos spriegumus un to radīto dislokāciju veidošanos, izmantojot MACPLAS programmatūru un Alexander-Haasen modeli, audzējot Csl, safīra un gallija oksīda kristālus no kausējuma.
Kirils Surovovs piedalījās ar darbu “Material Properties for CFD Modelling of BaB2O4 and Na2O Solution for BBO crystal growth”. Pētījumā (kopā ar A. Sabanski u.c.) viņš pievērsās BaB2O4-Na2O šķīduma materiālu īpašību, piemēram, siltumvadītspējas un viskozitātes, kalibrēšanai. Izmantojot lielo valodu modeļu (LLM) palīdzību procesu automatizācijā, izdevās iegūt temperatūras lauku, kas lieliski sakrīt ar eksperimentālajiem mērījumiem.
Krišjānis Kalme (līdzautors A. Sabanskis) dalījās ar pētījumu “Towards a Digital Twin in Crystal Growth: Correcting Optical Radius Measurement Biases”. Tas iezīmē svarīgu sākuma posmu pilnvērtīga digitālā dvīņa izstrādē kristālu audzēšanai. Pētījums piedāvā Čohraļska metodes optisko mērījumu kļūdu korekciju, izmantojot Ortogonālā attāluma regresiju (ODR) un mašīnmācīšanās algoritmus (ML), kas nepieciešams tālākai precīzai procesu kontrolei.
Visu trīs LU EZTF SMI pārstāvju dalība šajā darbnīcā un stenda referātu prezentēšana apliecina institūta izcilību un inovatīvo pieeju tādos sarežģītos jautājumos kā termisko spriegumu un materiālu īpašību datorsimulācijas. Tas ne tikai veicina kristālu audzēšanas tehnoloģiju progresu, bet arī sagatavo stabilu pamatu nākotnes risinājumiem.
