Apraksts

Uzkrāta vairāk kā 25 gadu pieredze silīcija monokristālu audzēšanas procesu matemātiskās modelēšanas jomā. Īpaši jāuzsver pētnieku grupas vadošā loma pasaulē silīcija zonas kausēšanas procesa modelēšanā. Norit sadarbība ar vienu no pasaules vadošajiem silīcija monokristālu ražotājiem – Vācijas kompāniju Siltronic AG.

Metodoloģija

Procesa aspektu modelēšanai tiek izmantotas gan specializētas, gan komerciāli pieejamas modelēšanas programmu sistēmas elektromagnētisko, termisko, hidrodinamisko, punktdefektu transporta u.c. procesu aprakstam. Papildus tiek veikti rūpniecisku procesu vadības un viedu kontroles risinājumu pētījumi. Laboratorijas rīcībā ir lieljaudas datorklasteris ar 256 kodoliem, kas paredzēts apjomīgu skaitliskās modelēšanas uzdevumu veikšanai.

Projekti

  • Līgumdarbi ar Siltronic AG (Vācija)kuru ietvaros tiek uzlabotas industriālas silīcija kristālu audzēšanas iekārtas – panākts augstāks procesa iznākums, mazāks avārijas risks un augstāka ražoto pusvadītāju plākšņu kvalitāte.
  • ERAF atbalstīta modelēšanas programmatūras attīstība, uzlabojot mūsu iespējas veikt aprēķinus nestacionāriem (laikā mainīgiem) kristālu ražošanas aspektiem.
  • Pjedestāla kristālu audzēšanas metodes modelēšana iesaistoties ERAF projektā “Mašīnbūves Kompetences centra izveide” un LU Efektīvas sadarbības projektā ar A/S KEPP EU (Latvija).

Kontaktpersona

Jānis Virbulis, Dr.Phys. – janis.virbulis@lu.lv; +371 29 148 600; SCOPUS